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ZrN-Based Flexible Resistive Switching Memory
Dayanand Kumar, Umesh Chand, Lew Wen Siang, Tseung-Yuen Tseng
*
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
28
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「ZrN-Based Flexible Resistive Switching Memory」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Resistive Random Access Memory (ReRAM)
100%
Low Temperature
33%
Electrical Characteristics
33%
Fabrication Methods
33%
Memory Device
33%
Switching Characteristics
33%
Voltage Variation
33%
Interface Layer
33%
Memory Application
33%
Operational Voltage
33%
Flexible Memory
33%
Endurance Cycling
33%
Bending Radius
33%
Room Temperature Fabrication
33%
Engineering
Resistive
100%
Resistive Random Access Memory
100%
Low-Temperature
50%
Room Temperature
50%
Random Access Memory Device
50%
Interface Layer
50%
Bending Radius
50%
Material Science
Resistive Random-Access Memory
100%
Electrical Property
50%