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國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
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Widely tunable work function TaN/Ru stacking layer on HfLaO gate dielectric
X. P. Wang
, M. F. Li
, H. Y. Yu
, J. J. Yang
, J. D. Chen
, C. X. Zhu
, A. Y. Du
, W. Y. Loh
, S. Biesemans
,
Albert Chin
, G. Q. Lo
, D. L. Kwong
研究成果
:
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指紋
指紋
深入研究「Widely tunable work function TaN/Ru stacking layer on HfLaO gate dielectric」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Gate Dielectric
100%
HfLaO
100%
Widely Tunable
100%
Stacked Layer
100%
Tunable Work Function
100%
Annealing
66%
Work Function
33%
Metal Gate
33%
Vertical Stacking
33%
High-k Gate Dielectrics
33%
Dual Metal Gate
33%
Conventional CMOS
33%
Activation Mechanism
33%
Thermally Stable
33%
Interdiffusion
33%
Continuous Tunability
33%
Metal Layer
33%
Fermi Level pinning
33%
Metal Structure
33%
Dielectric Stack
33%
Wide Tunability
33%
High-temperature Processes
33%
Ru Metal
33%
Material Science
Annealing
100%
Dielectric Material
100%