Ultrathin Si capping layer suppresses charge trapping in HfO xNy/Ge metal-insulator-semiconductor capacitors

Chao Ching Cheng*, Chao-Hsin Chien, Guang Li Luo, Chun Hui Yang, Mei Ling Kuo, Je Hung Lin, Chun Yen Chang

*此作品的通信作者

    研究成果: Article › 同行評審

    16 引文 斯高帕斯（Scopus）

    指紋

    深入研究「Ultrathin Si capping layer suppresses charge trapping in HfO xNy/Ge metal-insulator-semiconductor capacitors」主題。共同形成了獨特的指紋。

    Keyphrases

    Material Science