跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
English
中文
首頁
人員
單位
研究成果
計畫
獎項
活動
貴重儀器
影響
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
Thermal annealing of Pd/InAlAs Schottky contacts for transistor buried-gate technologies
H. F. Chuang
*
, C. P. Lee,
Chia-Ming Tsai
, D. C. Liu, J. S. Tsang, J. C. Fan
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
14
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Thermal annealing of Pd/InAlAs Schottky contacts for transistor buried-gate technologies」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Thermal Annealing
100%
Transistor
100%
Gating Technology
100%
InAlAs
100%
Schottky Contact
100%
Buried Gate
100%
Structural Change
50%
Annealing
50%
Capacitance-voltage
50%
AlGaAs
50%
Compositional Changes
50%
Auger Electron Spectroscopy
25%
Current-voltage
25%
X-ray Diffraction (XRD) Analysis
25%
InGaAs
25%
Voltage-current
25%
Thermal Reaction
25%
Semiconductor Interfaces
25%
Voltage Profile
25%
Material Science
Aluminium Gallium Arsenide
100%
Transistor
100%
Annealing
100%
Capacitance
100%
Schottky Barrier
100%
Auger Electron Spectroscopy
50%
Indium Gallium Arsenide
50%
Engineering
Aluminium Gallium Arsenide
100%
Schottky Barrier
100%
Ray Diffraction
50%
Indium Gallium Arsenide
50%