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The influence of the preheating temperature of the (−2 0 1) β-ga
2
o
3
substrates on c-plane gan epitaxial growth
Yu Pin Lan
*
*
此作品的通信作者
國立陽明交通大學
照明與能源光電研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「The influence of the preheating temperature of the (−2 0 1) β-ga
2
o
3
substrates on c-plane gan epitaxial growth」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Ga2O3
100%
GaN Layers
100%
Epitaxial Growth
100%
C-plane
100%
Preheating Temperature
100%
Crystal Quality
66%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
33%
Surface Morphology
33%
Full Width at Half Maximum
33%
Atmospheric Pressure
33%
Photoluminescence Spectra
33%
High Temperature
33%
Device Fabrication
33%
Chemical Vapor Deposition Method
33%
Pattern-based Approach
33%
Prepatterning
33%
Single-crystal Substrate
33%
X-ray Rocking Curve
33%
Narrow Linewidth
33%
C-plane GaN
33%
β-Ga2O3 Crystal
33%
Engineering
Crystalline Quality
100%
Preheating Temperature
100%
Plane Gan
100%
Chemical Vapor Deposition
50%
Surface Morphology
50%
Vapor Deposition
50%
Interlayer
50%
Vapor Deposition Method
50%
Patterning Process
50%
Atmospheric Pressure
50%
Physics
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
100%
Atmospheric Pressure
100%
Single Crystal
100%
Linewidth
100%
Photoluminescence
100%
X-Ray Diffractogram
100%