The impact of N-drift implant on ESD robustness of high-voltage NMOS with embedded SCR structure in 40-V CMOS process

Wei Jen Chang*, Ming-Dou Ker, Tai Xiang Lai, Tien Hao Tang, Kuan Cheng Su

*此作品的通信作者

    研究成果: Conference contribution › 同行評審

    1 引文 斯高帕斯（Scopus）

    指紋

    深入研究「The impact of N-drift implant on ESD robustness of high-voltage NMOS with embedded SCR structure in 40-V CMOS process」主題。共同形成了獨特的指紋。

    Engineering & Materials Science