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The doping process of p-type GaN films
G. G. Chi
*
,
Cheng-Huang Kuo
, J. K. Sheu, C. J. Pan
*
此作品的通信作者
照明與能源光電研究所
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
14
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「The doping process of p-type GaN films」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
P-GaN
100%
GaN Films
100%
Doping Process
100%
Cm(III)
66%
Photoluminescence Spectra
66%
Carrier Concentration
66%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
33%
Measurement Results
33%
P-type
33%
As-grown
33%
Emission Peak
33%
Mg-doped GaN
33%
P-type Doping
33%
Doping Concentration
33%
Room-temperature Photoluminescence
33%
Blue Emission
33%
Spectral Peak
33%
Hall Measurement
33%
Conductivity Type
33%
Violet Emission
33%
Material Science
Film
100%
Photoluminescence
66%
Carrier Concentration
66%
Chemical Vapor Deposition
33%
P-Type Doping
33%