The characteristics of hole trapping in HfO2/SiO2 gate dielectrics with TiN gate electrode
Wen Tai Lu*, Po Ching Lin, Tiao Yuan Huang, Chao-Hsin Chien, Ming Jui Yang, Ing Jyi Huang, Peer Lehnen
*此作品的通信作者
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）