The characteristics of hole trapping in HfO2/SiO2 gate dielectrics with TiN gate electrode

Wen Tai Lu*, Po Ching Lin, Tiao Yuan Huang, Chao-Hsin Chien, Ming Jui Yang, Ing Jyi Huang, Peer Lehnen

*此作品的通信作者

研究成果: Article同行評審

41 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「The characteristics of hole trapping in HfO2/SiO2 gate dielectrics with TiN gate electrode」主題。共同形成了獨特的指紋。

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