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The 308 nm laser photodissociation of HN
3
adsorbed on Si(111)-7 × 7
Y. Bu,
Ming-Chang Lin
*
*
此作品的通信作者
應用化學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
16
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「The 308 nm laser photodissociation of HN
3
adsorbed on Si(111)-7 × 7」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Silicon Nitride
100%
Desorption
100%
High-resolution Electron Energy Loss Spectroscopy (HREELS)
100%
Si(111)
100%
Laser Photodissociation
100%
Low Temperature
50%
Annealing
50%
Laser Irradiation
50%
Photodissociation
50%
Dissociation
50%
Irradiation
50%
Stretching Mode
50%
Adsorbate
50%
Irradiated Sample
50%
III-nitrides
50%
Surface Form
50%
Si(111) Surface
50%
Laser Chemical Vapor Deposition
50%
Chemistry
Photodissociation
100%
Desorption
100%
Nitride
100%
Chemical Vapor Deposition
50%
Silicon
50%
formation
50%
Chemical Engineering
Desorption
100%
Vapor Deposition
50%
Chemical Vapor Deposition
50%
Nitride
50%
Silicon Nitride
50%
Material Science
Surface (Surface Science)
100%
Silicon Nitride
50%
Desorption
50%
Chemical Vapor Deposition
25%
Nitride Compound
25%