Suppression of boron penetration in P+-poly-Si gate metal-oxide-semiconductor transistor using nitrogen implantation
Tien-Sheng Chao*, Chao-Hsin Chien, C. P. Hao, M. C. Liaw, C. H. Chu, C. Y. Chang, T. F. Lei, W. T. Sun, C. H. Hsu
*此作品的通信作者
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引文
斯高帕斯（Scopus）