Source-side engineering to increase holding voltage of LDMOS in a O.5-m 16-V BCD technology to avoid latch-up failure

Wen Yi Chen*, Ming-Dou Ker, Yeh Ning Jou, Yeh Jen Huang, Geeng Lih Lin

*此作品的通信作者

    研究成果: Conference contribution › 同行評審

    16 引文 斯高帕斯（Scopus）

    指紋

    深入研究「Source-side engineering to increase holding voltage of LDMOS in a O.5-m 16-V BCD technology to avoid latch-up failure」主題。共同形成了獨特的指紋。

    Keyphrases

    Engineering

    Physics