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獎項
活動
貴重儀器
影響
SiOC-Accelerated Graphene Grown on SiO
2
/Si with Tunable Electronic Properties
Paul D. Garman
, Hao Yang
, Ying Chieh Yen
, Jianfeng Yu
, Kwang Joo Kwak
, Veysi Malkoc
, Vishank V. Talesara
, Ly J. Lee
*
, Wu Lu
*
此作品的通信作者
生物藥學研究所
研究成果
:
Letter
›
同行評審
4
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「SiOC-Accelerated Graphene Grown on SiO
2
/Si with Tunable Electronic Properties」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD)
33%
Carbon Source
33%
Covalent Bonding
66%
Excellent Electrical Conductivity
33%
Facile Method
33%
Graphene
100%
Graphene Growth
33%
Graphene Network
33%
Heat Source Temperature
33%
High Carrier Mobility
33%
High Coverage
33%
High Mechanical Strength
33%
High Temperature
33%
Low Friction Coefficient
33%
Methane
33%
Silica
100%
Silicon Oxycarbide (SiOC)
100%
Silicon Wafer
66%
Silicone Rubber
33%
Transition Layer
33%
Tunable Electronic Properties
100%
Unique Properties
33%
Material Science
Carrier Mobility
25%
Chemical Vapor Deposition
25%
Electrical Conductivity
25%
Electronic Property
100%
Graphene
100%
Polysiloxane
25%
Silicon Oxycarbide
100%
Silicon Wafer
50%
Strength of Materials
25%