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Short-Channel Effects in 2D Negative-Capacitance Field-Effect Transistors
Wei Xiang You, Chih Peng Tsai,
Pin Su
*
*
此作品的通信作者
電子研究所
智慧半導體奈米系統技術研究中心
研究成果
:
Article
›
同行評審
45
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Short-Channel Effects in 2D Negative-Capacitance Field-Effect Transistors」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Short Channel Effects
100%
Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET)
100%
Short Channel
33%
Gate Length
16%
Subthreshold Swing
16%
Numerical Simulation
16%
Fringe Field
16%
Threshold Voltage
16%
Device Design
16%
Interlayer Dielectric
16%
Negative Capacitance
16%
Channel Activity
16%
Subthreshold Characteristics
16%
Swing Voltage
16%
Subthreshold Model
16%
2D MoS2
16%
Engineering
Field Effect Transistor
100%
Field-Effect Transistor
100%
Dielectrics
50%
Gate Length
50%
Interlayer
50%
Computer Simulation
50%
Molybdenum Disulfide
50%
Earth and Planetary Sciences
Threshold Voltage
100%
Dielectrics
100%
Interlayer
100%
Material Science
Field Effect Transistor
100%
Capacitance
100%
Dielectric Material
25%