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獎項
活動
貴重儀器
影響
Schottky s/d MOSFETs with high-Kgate dielectrics and metal gate electrodes
Shiyang Zhu
*
, Jingde Chen
, H. Y. Yu
, S. J. Whang
, J. H. Chen
, C. Shen
, M. F. Li
, S. J. Lee
, Chunxiang Zhu
, D. S.H. Chan
, Anyan Du
, C. H. Tung
, Jagar Singh
,
Albert Chin
, D. L. Kwong
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Schottky s/d MOSFETs with high-Kgate dielectrics and metal gate electrodes」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Schottky
100%
Dielectric
100%
MOSFET
100%
Suicide
100%
Metal Gate Electrode
100%
MOS Transistor
83%
Low Temperature Process
50%
Metal Gate
33%
Subthreshold Slope
16%
High-k Dielectric
16%
CMOS Technology
16%
Gate Dielectric
16%
HfO2
16%
Electrical Performance
16%
Silicide
16%
PtSi
16%
Thermal Budget
16%
Radio
16%
Ultra-thin SOI
16%
Gate Material
16%
Implantation-free
16%
SOI Structure
16%
Subthreshold Slop
16%
Material Science
Transistor
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Dielectric Material
100%
Silicide
20%
High-K Dielectric
20%
Chemistry
Dielectric Material
100%
electrode
100%
Silicide
33%