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Reducing Ni residues of metal induced crystallization poly-Si with a simple chemical oxide layer
Ming Hui Lai
*
,
Yew-Chuhg Wu
*
此作品的通信作者
材料科學與工程學系
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
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指紋
指紋
深入研究「Reducing Ni residues of metal induced crystallization poly-Si with a simple chemical oxide layer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Poly-Si
100%
Metal-induced Crystallization
100%
Oxide Layer
100%
Chemical Oxide
100%
Leakage Current
66%
Poly-Si Film
66%
Thermal Annealing
33%
Ni Atom
33%
A-Si
33%
Most Important Issue
33%
Ni Concentration
33%
Material Science
Oxide Compound
100%
Film
66%
Annealing
33%
Engineering
Oxide Layer
100%