Properties of low-pressure chemical vapor epitaxial GaN films grown using hydrazoic acid (HN3)

D. G. Chtchekine*, L. P. Fu, G. D. Gilliland, Y. Chen, S. E. Ralph, K. K. Bajaj, Y. Bu, Ming-Chang Lin, F. T. Bacalzo, S. R. Stock

*此作品的通信作者

研究成果: Article同行評審

25 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Properties of low-pressure chemical vapor epitaxial GaN films grown using hydrazoic acid (HN<sub>3</sub>)」主題。共同形成了獨特的指紋。

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