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Process-variation- and random-dopant-induced static noise margin fluctuation in nanoscale CMOS and FinFET SRAM cells

  • Tien Yeh Li*
  • , Chih Hong Hwang
  • , Yi-Ming Li
    • *此作品的通信作者

研究成果: Conference contribution › 同行評審

5 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Process-variation- and random-dopant-induced static noise margin fluctuation in nanoscale CMOS and FinFET SRAM cells」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式

Keyphrases

Engineering