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Process-variation- and random-dopant-induced static noise margin fluctuation in nanoscale CMOS and FinFET SRAM cells
Tien Yeh Li
*
, Chih Hong Hwang,
Yi-Ming Li
*
此作品的通信作者
電機工程學系
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
5
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Process-variation- and random-dopant-induced static noise margin fluctuation in nanoscale CMOS and FinFET SRAM cells」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Nanoscale CMOS
100%
Process Variation
100%
Memory Cell
100%
Static Random Access Memory
100%
Static Noise Margin
100%
Random Dopants
100%
Nano-scale FinFET
100%
Random Dopant Fluctuation
44%
Gate Length
22%
Planar MOSFET
22%
Fin Field-effect Transistor (FinFET)
11%
MOSFET
11%
Field-effect Transistors
11%
Three-dimensional (3D)
11%
Silicon-on-insulator
11%
Doping Profile
11%
Am(III)
11%
Electrostatic Integrity
11%
Simulation Approach
11%
Process Variation Effect
11%
Device Variability
11%
Fin Type
11%
Coupled Device-circuit Simulation
11%
Characteristic Fluctuation
11%
Engineering
Dopants
100%
Nanoscale
100%
Noise Margin
100%
Random Access Memory
100%
Process Variation
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
33%
Gate Length
22%
Field-Effect Transistor
11%
Circuit Simulation
11%
Silicon on Insulator
11%
Coupled Device
11%