Process-variation- and random-dopant-induced static noise margin fluctuation in nanoscale CMOS and FinFET SRAM cells

Tien Yeh Li*, Chih Hong Hwang, Yi-Ming Li

*此作品的通信作者

研究成果: Conference contribution同行評審

5 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Process-variation- and random-dopant-induced static noise margin fluctuation in nanoscale CMOS and FinFET SRAM cells」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

Engineering