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P-SiGe nanosheet line tunnel field-effect transistors with ample exploitation of ferroelectric
Narasimhulu Thoti,
Yiming Li
*
*
此作品的通信作者
電信工程研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「P-SiGe nanosheet line tunnel field-effect transistors with ample exploitation of ferroelectric」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
SiGe
100%
Nanosheets
100%
Tunnel Field-effect Transistor
100%
High Performance
33%
On-state Current
33%
Off-state Current
33%
Gate Leakage
33%
Gate Bias
33%
Steep Subthreshold Swing
33%
Trap-assisted Tunneling
33%
Gate Oxide Thickness
33%
Ferroelectric Field-effect Transistor (FeFET)
33%
Ferroelectric HZO
33%
Material Science
Ferroelectric Material
100%
Field Effect Transistor
100%
Nanosheet
100%
Oxide Compound
20%