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Optimization on MOS-triggered SCR structures for On-Chip ESD protection
Shih Hung Chen
*
,
Ming-Dou Ker
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Article
›
同行評審
18
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Optimization on MOS-triggered SCR structures for On-Chip ESD protection」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Advanced CMOS
16%
Channel Length
16%
CMOS Technology
16%
Current Discharge
16%
Current Distribution
16%
Deep Submicron
16%
Electrostatic Discharge
16%
Electrostatic Discharge (ESD) Protection
100%
Holding Voltage
16%
MOS Transistor
50%
On chip
100%
Second Breakdown Current
16%
Silicon-controlled Rectifier
100%
Trigger Current
16%
Trigger Mechanism
16%
Trigger Voltage
16%
Voltage Holding
16%
Engineering
Channel Length
16%
Current Distribution
16%
Electrostatic Discharge
100%
Holding Voltage
16%
Silicon-Controlled Rectifier
100%
Computer Science
Holding Voltage
100%
Trigger Voltage
100%
Material Science
Silicon
100%
Transistor
50%
Earth and Planetary Sciences
Silicon Controlled Rectifier
100%
Trigger Mechanism
16%