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On-chip ESD protection design for GHz RF integrated circuits by using polysilicon diodes in sub-quarter-micron CMOS process
C. Y. Chang
*
,
Ming-Dou Ker
*
此作品的通信作者
研究成果
›
同行評審
9
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「On-chip ESD protection design for GHz RF integrated circuits by using polysilicon diodes in sub-quarter-micron CMOS process」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
CMOS Process
100%
Radio-frequency Integrated Circuit (RF IC)
100%
Polysilicon Diode
100%
On-chip ESD Protection
100%
Input Capacitance
40%
Polysilicon
20%
ESD Protection
20%
ESD Protection Design
20%
RF Applications
20%
Low Parasitic Capacitance
20%
Constant Input
20%
Substrate Coupling Noise
20%
Engineering
Integrated Circuit
100%
Polysilicon
100%
Input Capacitance
33%
Parasitic Capacitance
16%
Material Science
Electronic Circuit
100%
Capacitance
100%
Chemical Engineering
Polysilicon
100%