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Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet chemical etching
T. C. Wen
*
, S. C. Lee, H. S. Chuang, C. H. Chiou,
Wei-I Lee
*
此作品的通信作者
電子物理學系
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet chemical etching」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Epitaxial Lateral Overgrowth
100%
Dislocation
100%
Chemical Etching
100%
Etch pit
100%
Window Area
33%
Coalescent
33%
Surface Topography
16%
As-grown
16%
Sulfuric Acid
16%
Smooth Surface
16%
SEM Images
16%
High Density
16%
Etchant
16%
Phosphoric Acid
16%
Hillocks
16%
Hexagonal Structure
16%
AFM Observation
16%
Overgrowth
16%
Material Science
Scanning Electron Microscopy
100%
Wet Etching
100%
Density
50%
Surface (Surface Science)
50%
Surface Topography
50%