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Numerical Simulation of Trapped Hole Lateral Migration and Induced Threshold Voltage Retention Loss in a SONOS Flash Memory

  • Cheng Min Jiang*
  • , Chih Jung Wu
  • , Tahui Wang
    • *此作品的通信作者

研究成果: Article › 同行評審

1 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Numerical Simulation of Trapped Hole Lateral Migration and Induced Threshold Voltage Retention Loss in a SONOS Flash Memory」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式

Keyphrases

Engineering

Earth and Planetary Sciences

Physics