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Novel precleaning treatment for selective tungsten chemical vapor deposition
T. C. Chang
*
, Y. S. Mor,
Po-Tsun Liu
, S. M. Sze, Y. L. Yang, M. S. Tsai, C. Y. Chang
*
此作品的通信作者
光電工程學系
研究成果
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同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Novel precleaning treatment for selective tungsten chemical vapor deposition」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Chemical Vapor Deposition
100%
Tungsten
100%
Hydroxylamine Sulfate
100%
Copper Sulfate
60%
Via Resistance
40%
Via Hole
20%
Hot Filament Chemical Vapor Deposition (HFCVD)
20%
Hydroxylamine
20%
Passivation Layer
20%
Cu(II) Ions
20%
Excellent Selectivity
20%
Clean Surface
20%
Electrical Test
20%
Tungsten Plug
20%
Cleaning Solution
20%
Material Science
Chemical Vapor Deposition
100%
Tungsten
100%
Surface (Surface Science)
100%
Aluminum
66%
Nucleation
33%
Copper Ion
33%
Engineering
Chemical Vapor Deposition
100%
Vapor Deposition
100%
Test Structure
50%
Pharmacology, Toxicology and Pharmaceutical Science
Hydroxylamine
100%
Sulfate
100%
Nucleation
20%
Copper Ion
20%
Chemical Engineering
Vapor Deposition
100%
Chemical Vapor Deposition
100%