New layout scheme to improve ESD robustness of I/O buffers in fully-silicided CMOS process

  • Ming-Dou Ker*
  • , Wen Yi Chen
  • , Wuu Trong Shieh
  • , I. Ju Wei
    • *此作品的通信作者

    研究成果: Conference contribution › 同行評審

    2 引文 斯高帕斯（Scopus）

    指紋

    深入研究「New layout scheme to improve ESD robustness of I/O buffers in fully-silicided CMOS process」主題。共同形成了獨特的指紋。
    排序方式

    Keyphrases

    Earth and Planetary Sciences

    Engineering

    Material Science