New layout design for submicron CMOS output transistors to improve driving capability and ESD robustness

Ming-Dou Ker*, T. Y. Chen, H. H. Chang

*此作品的通信作者

研究成果: Article › 同行評審

4 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「New layout design for submicron CMOS output transistors to improve driving capability and ESD robustness」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

Material Science

Engineering