New layout arrangement to improve ESD robustness of large-array high-voltage nLDMOS

Wen Yi Chen*, Ming-Dou Ker

*此作品的通信作者

    研究成果: Article同行評審

    26 引文 斯高帕斯(Scopus)

    指紋

    深入研究「New layout arrangement to improve ESD robustness of large-array high-voltage nLDMOS」主題。共同形成了獨特的指紋。

    Engineering & Materials Science

    Chemical Compounds