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NEW GaSb/AISb/GaSb/AISb/InAs/AISb/InAs Triple-Barrier Interband Tunnelling Diode
L. Yang,
Jenn-Fang Chen
, A. Y. Cho
電子物理學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
13
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「NEW GaSb/AISb/GaSb/AISb/InAs/AISb/InAs Triple-Barrier Interband Tunnelling Diode」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaSb
100%
Band-to-band Tunneling
100%
Tunnel Diode
100%
Triple Barrier
100%
AlSb
85%
Conduction Band
28%
Light Hole
28%
Barrier Structure
28%
Resonant Tunneling Effect
28%
Tunneling
14%
Room Temperature
14%
Electron Holes
14%
Tunnel Technique
14%
Peak Current Density
14%
Peak-to-valley Current Ratio
14%
Quantization Effects
14%
Engineering
Tunnel Construction
100%
Resonant Tunneling
50%
Conduction Band
50%
Room Temperature
25%
Current Ratio
25%