Molybdenum metal gate MOS technology for post-SiO 2 gate dielectrics
Q. Lu*, R. Lin, P. Ranade, Y. C. Yeo, X. Meng, H. Takeuchi, T. J. King, Chen-Ming Hu, H. Luan, S. Lee, W. Bai, C. H. Lee, D. L. Kwong, X. Guo, X. Wang, T. P. Ma
*此作品的通信作者
研究成果: Conference article › 同行評審
31
引文
斯高帕斯（Scopus）