Molybdenum metal gate MOS technology for post-SiO 2 gate dielectrics
- Q. Lu*
- , R. Lin
- , P. Ranade
- , Y. C. Yeo
- , X. Meng
- , H. Takeuchi
- , T. J. King
- , Chen-Ming Hu
- , H. Luan
- , S. Lee
- , W. Bai
- , C. H. Lee
- , D. L. Kwong
- , X. Guo
- , X. Wang
- , T. P. Ma
*此作品的通信作者
研究成果: Conference article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）