跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
English
中文
在 國立陽明交通大學研發優勢分析平台 搜尋內容
首頁
人員
單位
研究成果
計畫
獎項
活動
貴重儀器
影響
Modification of intrinsic defects in IZO/IGZO thin films for reliable bilayer thin film transistors
Nidhi Tiwari
, Ram Narayan Chauhan
,
Po-Tsun Liu
*
, Han Ping D. Shieh
*
此作品的通信作者
光電工程學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
20
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Modification of intrinsic defects in IZO/IGZO thin films for reliable bilayer thin film transistors」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Amorphous InGaZnO (a-IGZO)
100%
Thin-film Transistors
100%
Bilayer Thin Films
100%
Intrinsic Defects
100%
GZO Thin Film
100%
ZnO Interlayer
66%
High-resolution
33%
Ultrathin
33%
Electrical Characteristics
33%
TFT-LCD
33%
Oxygen Vacancy
33%
High Field-effect Mobility
33%
Active-matrix Organic Light-emitting Diode (AMOLED)
33%
Photoluminescence Analysis
33%
XPS Analysis
33%
Large-sized
33%
Electrical Stability
33%
Performance Stability
33%
Active Channel
33%
Zinc Vacancy
33%
Bias Stability
33%
LCD Display
33%
Backplane
33%
Photo-bias Stability
33%
Divalent Zinc
33%
Dual-active
33%
Engineering
Thin Films
100%
Interlayer
100%
Thin-Film Transistor
100%
High Resolution
33%
Oxygen Vacancy
33%
Channel Device
33%
Active Channel
33%
Material Science
Thin Films
100%
Thin-Film Transistor
100%
ZnO
100%
Transistor
25%
Electrical Property
25%
Photoluminescence
25%
Oxygen Vacancy
25%