跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
English
中文
在 國立陽明交通大學研發優勢分析平台 搜尋內容
首頁
人員
單位
研究成果
計畫
獎項
活動
貴重儀器
影響
MOCVD growth of GaN on sapphire using a Ga
2
O
3
interlayer
Tsung Yen Tsai
*
, Sin Liang Ou
, Ming Tsung Hung
, Dong Sing Wuu
,
Ray-Hua Horng
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
22
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「MOCVD growth of GaN on sapphire using a Ga
2
O
3
interlayer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
100%
Undoped
100%
Ga2O3
100%
Chemical Vapor Deposition Growth
100%
GaN-on-sapphire
100%
Sapphire
66%
β-Ga2O3 Thin Film
66%
Rocking Curve
33%
Crystallinity
33%
Transmission Electron Microscopy
33%
Indium Gallium Nitride (InGaN)
33%
Full Width at Half Maximum
33%
Light-emitting Diodes
33%
Photoluminescence Spectra
33%
Lattice Mismatch
33%
Orientation Relationship
33%
Chemical Lift-off
33%
Diode Structures
33%
Pulsed Laser Deposition
33%
N2 Atmosphere
33%
GaN Growth
33%
Growth Atmosphere
33%
Engineering
Chemical Vapor Deposition
100%
Vapor Deposition
100%
Interlayer
100%
Thin Films
66%
Crystallinity
33%
Light-Emitting Diode
33%
Lattice Mismatch
33%
Measured Value
33%
Measured Spectrum
33%
Pulsed Laser
33%
Material Science
Chemical Vapor Deposition
100%
Sapphire
100%
Thin Films
66%
Transmission Electron Microscopy
33%
Light-Emitting Diode
33%
Photoluminescence
33%
Lattice Mismatch
33%
Pulsed Laser Deposition
33%