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Miniband formulation of bilayer type II Ge/Si quantum dot superlattices
Yi Chia Tsai, Ming Yi Lee,
Yi-ming Li
, Seiji Samukawa
電信工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Miniband formulation of bilayer type II Ge/Si quantum dot superlattices」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
SiGe
100%
Silicon Quantum Dots (Si QDs)
100%
Miniband
100%
Quantum Dot Superlattices
100%
Quantum Dots
66%
Band Gap
66%
Broad Bandwidth
66%
Energy Levels
33%
Banded Structure
33%
Density of States
33%
Well-aligned
33%
Computational Study
33%
Layer Distance
33%
Quantum Dot Arrays
33%
Continuous Energy
33%
Higher Excited States
33%
Vertical Distance
33%
Individual Bands
33%
Engineering
Quantum Dot
100%
Minibands
100%
Superlattice
100%
Band Gap
50%
Band Structure
25%
Dot Layer
25%
Effective Bandwidth
25%
Structural Parameter
25%
Energy Bandwidth
25%
Excited State
25%
Physics
Quantum Dot
100%
Superlattice
100%
Energy Gaps (Solid State)
50%
Excitation
25%
Density of States
25%