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Majority- and minority-carrier traps in Te-doped AlInP
Y. R. Wu
*
, W. J. Sung,
Wei-I Lee
*
此作品的通信作者
電子物理學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Majority- and minority-carrier traps in Te-doped AlInP」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
AlInP
100%
Te-doped
100%
Majority Carriers
100%
Minority Carrier Traps
100%
Carrier Trapping
60%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
20%
Activation Energy
20%
P-n Junction
20%
Uniformly Distributed
20%
Minority Carriers
20%
Junction Structure
20%
Bulk Defects
20%
Engineering
Minority Carriers
100%
Deep Level
66%
Activation Energy
33%
Metal Organic Chemical Vapor Deposition
33%
Pn Junction
33%
Material Science
Activation Energy
100%
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
100%