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Low-Temperature Processed Tin Oxide Transistor with Ultraviolet Irradiation
Cheng Wei Shih
*
, Te Jui Yen,
Albert Chin
, Chun Fu Lu, Wei Fang Su
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
18
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Low-Temperature Processed Tin Oxide Transistor with Ultraviolet Irradiation」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Ultraviolet Irradiation
100%
Low Temperature Process
100%
Tin Oxide
100%
Oxide Transistor
100%
On-state Current
66%
Thin-film Transistors
66%
Low Temperature
33%
High Performance
33%
Subthreshold Slope
33%
X-ray Photoelectron Spectroscopy
33%
SnO2 Thin Films
33%
High Field-effect Mobility
33%
SnO2
33%
Device Integrity
33%
Mobility Values
33%
Sn4+
33%
Sn2+
33%
Irradiation Method
33%
Material Science
Transistor
100%
Thin-Film Transistor
100%
Tin Oxide
100%
X-Ray Photoelectron Spectroscopy
50%
Engineering
Low-Temperature
100%
Thin-Film Transistor
100%
Subthreshold Slope
50%
Ray Photoelectron Spectroscopy
50%
Chemistry
Ultraviolet Irradiation
100%
Tin Oxide
100%
Field Effect
33%
X Ray Photoemission Spectroscopy
33%
Chemical Engineering
Tin Oxide
100%
Film
100%