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Low-Loss I/O Pad with ESD Protection for K/Ka-Bands Applications in the Nanoscale CMOS Process
Bo Wei Peng,
Chun Yu Lin
*
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Low-Loss I/O Pad with ESD Protection for K/Ka-Bands Applications in the Nanoscale CMOS Process」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
CMOS Process
100%
Nanoscale CMOS
100%
Input-output
100%
Electrostatic Discharge (ESD) Protection
100%
Low Loss
100%
Band Application
100%
Ka-band
100%
Protection Diodes
37%
Traditional Design
25%
Protection Device
25%
Signal Loss
25%
Diode
12%
Measurement Results
12%
Protection Capability
12%
Integrated Circuits
12%
High Frequency Circuit
12%
Proposed Design
12%
Discharge Events
12%
Electrostatic Discharge
12%
Silicon chip
12%
Parasitic Capacitance
12%
Parasitic Effects
12%
Biased Conditions
12%
Large Dimension
12%
Stacked Inductor
12%
Engineering
Nanoscale
100%
Electrostatic Discharge
100%
Ka-Band
100%
Protection Device
22%
Integrated Circuit
11%
Parasitic Capacitance
11%
Material Science
Electronic Circuit
100%
Silicon
50%
Capacitance
50%