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Low-leakage electrostatic discharge protection circuit in 65-nm fully-silicided CMOS technology
Chang Tzu Wang
*
,
Ming-Dou Ker
, Tien Hao Tang, Kuan Cheng Su
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Low-leakage electrostatic discharge protection circuit in 65-nm fully-silicided CMOS technology」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
CMOS Technology
100%
Electrostatic Discharge (ESD) Protection
100%
Electrostatic Discharge
100%
Protection Circuit
100%
Fully Silicide
100%
Low Leakage
100%
Power Rail
66%
Clamp Circuit
66%
Standby Leakage Current
66%
CMOS Process
33%
Operating Conditions
33%
Silicon Area
33%
Room Temperature
33%
Gate Current
33%
Human Body Model
33%
Detection Circuit
33%
Electrostatic Discharge Test
33%
Discharge State Detection
33%
Machine Model
33%
Low Leakage Power
33%
Engineering
Electrostatic Discharge
100%
Power Rail
50%
Room Temperature
25%
Human Body Model
25%
Electrostatic Discharge Detection
25%