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Latchup Risk in a 4H-SiC Process
Chao Yang Ke,
Ming Dou Ker
*
*
此作品的通信作者
電子研究所
神經調控醫療電子系統研究中心
研究成果
:
Article
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Latchup Risk in a 4H-SiC Process」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Latch-up
100%
4H-SiC
100%
Holding Voltage
57%
Transmission Line Pulse
28%
Temperature Rise
14%
Pulse Width
14%
Design Rules
14%
Self-heating Effect
14%
Process Solutions
14%
Layout Solution
14%
Pulse System
14%
Voltage Rating
14%
Engineering
Holding Voltage
100%
Electric Lines
50%
Temperature Increase
25%
Design Rule
25%
Heating Effect
25%
Process Solution
25%