Investigation on ESD robustness of CMOS devices in a 1.8-V 0.15-μm partially-depleted SOI salicide CMOS technology

Ming-Dou Ker*, K. K. Hong, T. Y. Chen, H. Tang, S. C. Huang, S. S. Chen, C. T. Huang, M. C. Wang, Y. T. Loh

*此作品的通信作者

    研究成果: Paper › 同行評審

    1 引文 斯高帕斯（Scopus）

    指紋

    深入研究「Investigation on ESD robustness of CMOS devices in a 1.8-V 0.15-μm partially-depleted SOI salicide CMOS technology」主題。共同形成了獨特的指紋。

    Physics & Astronomy

    Engineering & Materials Science

    Chemical Compounds