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Investigation of Intrinsic Ferroelectric Switching induced Variation for Scaled FeFETs considering Limited Domain Number
Yi Chin Luo,
Pin Su
電子研究所
智慧半導體奈米系統技術研究中心
電機工程學系
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Investigation of Intrinsic Ferroelectric Switching induced Variation for Scaled FeFETs considering Limited Domain Number」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Memory Window
100%
Induced Variation
100%
Ferroelectric Switching
100%
Ferroelectric Field-effect Transistor (FeFET)
100%
Limited Domain
100%
Non-volatile Memory
50%
Equivalent Oxide Thickness
25%
High Density
25%
Monte Carlo Simulation
25%
Polarization Charge
25%
Switching Model
25%
Nucleation-limited Switching
25%
Engineering
Field-Effect Transistor
100%
Nonvolatile Memory
66%
Oxide Thickness
33%
Interlayer
33%
Mean Value
33%
Material Science
Ferroelectric Material
100%
Field Effect Transistor
50%
Density
16%
Nucleation
16%
Oxide Compound
16%