Investigation of Fin-Width Sensitivity of Threshold Voltage for InGaAs and Si Negative-Capacitance FinFETs Considering Quantum-Confinement Effect
Shih En Huang, Chien Lin Yu, Pin Su*
*此作品的通信作者
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯(Scopus)