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影響
Interface traps and random dopants induced characteristic fluctuations in emerging MOSFETs
Yiming Li
*
, Hui Wen Cheng
, Yung Yueh Chiu
*
此作品的通信作者
電機工程學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
8
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Interface traps and random dopants induced characteristic fluctuations in emerging MOSFETs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
MOSFET
100%
Interface Traps
100%
Random Dopants
100%
Characteristic Fluctuation
100%
HfO2 Films
14%
Silicon Film
14%
Threshold Voltage
14%
Device Variability
14%
Insulator Film
14%
2D Interface
14%
Engineering
Dopants
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Interface Trap
100%
Material Science
Doping (Additives)
100%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Film
28%
Silicon
28%
Physics
Field Effect Transistor
100%
Threshold Voltage
50%
Computer Science
Threshold Voltage
100%