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Influence of Fringing-Field on DC/AC Characteristics of Si1-xGex Based Multi-Channel Tunnel FETs
Narasimhulu Thoti,
Yi-Ming Li
*
*
此作品的通信作者
電信工程研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
16
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「Influence of Fringing-Field on DC/AC Characteristics of Si1-xGex Based Multi-Channel Tunnel FETs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Multi-channel
100%
Si1-xGex
100%
Tunnel FET
100%
Channel Tunnel
100%
AC-DC
100%
Fringing Field
100%
AC Characteristics
100%
Tunnel Field-effect Transistor
66%
On-state Current
33%
Performance Improvement
33%
Superior Performance
33%
Short Channel Effects
33%
Device Behavior
33%
Number of Channels
33%
RF Performance
33%
Packing Density
33%
High Ratio
33%
Total Capacitance
33%
Performance Estimator
33%
Result State
33%
Engineering
Field Effect Transistor
100%
Field-Effect Transistor
100%
Multichannel
100%
Nodes
50%
Performance Improvement
50%
Device Behavior
50%
Material Science
Field Effect Transistor
100%
Density
33%
Capacitance
33%