Indium phosphide on gallium arsenide heteroepitaxy with interface layer grown by flow-rate modulation epitaxy

Wei-Kuo Chen*, J. F. Chen, Jyh-Cheng Chen, H. M. Kim, L. Anthony, C. R. Wie, P. L. Liu

*此作品的通信作者

研究成果: Article同行評審

14 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Indium phosphide on gallium arsenide heteroepitaxy with interface layer grown by flow-rate modulation epitaxy」主題。共同形成了獨特的指紋。

Physics & Astronomy