Improving Radiation Hardness of 4H-SiC Power Devices by Local-Oxidation of Silicon Carbide (LOCOSiC) Isolation

Bing Yue Tsui*, Chia Hua Wang, Shih Hao Lai, Chun Ping Shih, Quan Han Chen, Der Sheng Chao

*此作品的通信作者

研究成果: Article › 同行評審

2 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Improving Radiation Hardness of 4H-SiC Power Devices by Local-Oxidation of Silicon Carbide (LOCOSiC) Isolation」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

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