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Improvements in the heteroepitaxy of GaAs on Si by incorporating a ZnSe buffer layer
M. K. Lee
*
,
Ray-Hua Horng
, D. S. Wuu, P. C. Chen
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
12
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Improvements in the heteroepitaxy of GaAs on Si by incorporating a ZnSe buffer layer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Gallium Arsenide
100%
Heteroepitaxy
100%
ZnSe Buffer Layer
100%
GaAs on Si
100%
Zinc Selenide
66%
Residual Stress
22%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
11%
Diode
11%
Si Substrate
11%
Order of Magnitude
11%
Epilayer
11%
Photoluminescence
11%
Low Pressure
11%
Electrical Properties
11%
Structural Properties
11%
Reverse Breakdown Voltage
11%
Si Film
11%
Breakdown Voltage
11%
Si Structures
11%
Dislocation Density
11%
GaAs Film
11%
Peak Shift
11%
Surface Dislocations
11%
Planar Schottky Diode
11%
Material Science
Gallium Arsenide
100%
Buffer Layer
100%
Heteroepitaxy
100%
Film
16%
Residual Stress
16%
Density
8%
Chemical Vapor Deposition
8%
Epilayers
8%
Photoluminescence
8%
Schottky Diode
8%
Surface (Surface Science)
8%