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Improvement of resistive switching properties of Ti/ZrO
2
/Pt with embedded germanium
Chun An Lin, Debashis Panda, Tseung-Yuen Tseng
電子研究所
研究成果
:
Chapter
›
同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Improvement of resistive switching properties of Ti/ZrO
2
/Pt with embedded germanium」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Annealing Process
33%
Concentration Reduction
33%
Curve Fitting
33%
Defect Concentration
33%
Forming Voltage
33%
Ge Layer
66%
Germanium
100%
Germanium Oxide
33%
High Resistance State
33%
Ionic Conduction
33%
Low Resistance State
33%
Rapid Thermal Annealing
33%
Reset Process
33%
Resistive Behavior
33%
Resistive Switching Properties
100%
Schottky Emission
33%
Switching Properties
33%
Top Electrode
33%
Zirconium Dioxide
100%
ZrO2 Films
33%
Engineering
Annealing Process
50%
Fitting Curve
50%
High Resistance State
50%
Rapid Thermal Annealing
50%
Reset Process
50%
Resistive
100%
Set Process
50%
Material Science
Annealing
25%
Film
25%
Germanium
100%
Oxide Compound
25%
Zirconia
100%