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Improvement of hydrogenated amorphous-silicon TFT performances with low-κ siloxane-based hydrogen silsesquioxane (HSQ) passivation layer
Ta Shan Chang
, Ting Chang Chang
,
Po-Tsun Liu
, Tien Shan Chang
, Chun Hao Tu
, Feng Sheng Yeh
光電工程學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
23
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Improvement of hydrogenated amorphous-silicon TFT performances with low-κ siloxane-based hydrogen silsesquioxane (HSQ) passivation layer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Hydrogenated Amorphous Silicon
100%
Passivation Layer
100%
Amorphous Silicon TFT
100%
Hydrogen Silsesquioxane
100%
Siloxane
100%
A-Si
40%
H TFT
40%
Passivated
40%
Silicon Nitride
20%
Hydrogen Bonds (H-bonds)
20%
Passivation
20%
Density of States
20%
Low Dielectric Constant
20%
Liquid Crystal Display
20%
Subthreshold Swing
20%
Bottom Gate
20%
Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film
20%
Amorphous Silicon Thin-film Transistors
20%
Aperture Ratio
20%
Field-effect Mobility
20%
Backchannel
20%
Planarization
20%
SiNx
20%
Channel Layer
20%
Hydrogen Incorporation
20%
Light Transmittance
20%
Material Science
Amorphous Silicon
100%
Silsesquioxane
100%
Density
20%
Film
20%
Hydrogen Bonding
20%
Silicon Nitride
20%
Thin-Film Transistor
20%
Permittivity
20%
Liquid Crystal Display
20%