Improvement of AlGaN/GaN HEMTs Linearity Using Etched-Fin Gate Structure for Ka Band Applications
- Ming Wen Lee
- , Yueh Chin Lin
- , Heng Tung Hsu
- , Francisco Gamiz
- , Edward Yi Chang*
*此作品的通信作者
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）