Improvement of AlGaN/GaN HEMTs Linearity Using Etched-Fin Gate Structure for Ka Band Applications
Ming Wen Lee, Yueh Chin Lin, Heng Tung Hsu, Francisco Gamiz, Edward Yi Chang*
*此作品的通信作者
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）