Impact of post-deposition-annealing on the electrical characteristics of HfO x N y gate dielectric on Ge substrate

Chao Ching Cheng*, Chao-Hsin Chien, Ching Wei Chen, Shih Lu Hsu, Ming Yi Yang, Chien Chao Huang, Fu Liang Yang, Chun Yen Chang

*此作品的通信作者

研究成果: Conference article › 同行評審

15 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Impact of post-deposition-annealing on the electrical characteristics of HfO x N y gate dielectric on Ge substrate」主題。共同形成了獨特的指紋。

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