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影響
Impact of back gate bias on hot-carrier effects of n-channel Tri-Gate FETs (TGFETs)
Chia Pin Lin
*
,
Bing-Yue Tsui
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Impact of back gate bias on hot-carrier effects of n-channel Tri-Gate FETs (TGFETs)」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
N-channel
100%
Hot Carrier Effect
100%
Back-gate Bias
100%
Tri-gate FET
100%
Buried Oxide
50%
Hot Carriers
25%
Tri-gate
25%
Side Gate
25%
Fin Width
25%
SOI FinFET
25%
Carrier Lifetime
25%
Screening Effect
25%
Oxide Interfaces
25%
Non-planar
25%
Sub-10 Nm
25%
Ultra-narrow
25%
Oxide Defects
25%
Interface Area
25%
Field Lines
25%
Engineering
Field Effect Transistor
100%
Gate Bias
100%
Carrier Effect
100%
Fin Width
25%
Carrier Lifetime
25%
Screening Effect
25%
Field Line
25%
Material Science
Hot Carrier
100%
Field Effect Transistor
100%
Oxide Compound
25%
Carrier Lifetime
25%
Oxide Interface
25%