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影響
Impact of annealing environment on performance of InWZnO conductive bridge random access memory
Chih Chieh Hsu
,
Po Tsun Liu
*
, Kai Jhih Gan
, Dun Bao Ruan
, Yu Chuan Chiu
, Simon M. Sze
*
此作品的通信作者
光電工程學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
8
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Impact of annealing environment on performance of InWZnO conductive bridge random access memory」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Annealing Environment
100%
Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM)
100%
Annealing
40%
Memory Device
40%
Electrical Properties
20%
As-deposited
20%
Oxygen Vacancy
20%
Circuit Application
20%
Annealing Process
20%
Long Retention Time
20%
X-ray Photoelectron Spectroscopy Analysis
20%
W-doped
20%
Nitrogen Atmosphere
20%
Annealing Atmosphere
20%
Endurance Cycle
20%
Resistive State
20%
Indium Zinc Oxide
20%
Tungsten Doping
20%
Nitrogen Annealing
20%
InZnO
20%
Switching Material
20%
Integrated Display
20%
Display Circuit
20%
Engineering
Conductive
100%
Random Access Memory
100%
Random Access Memory Device
40%
Ray Photoelectron Spectroscopy
20%
Annealing Process
20%
Oxygen Vacancy
20%
Retention Time
20%
Material Science
Annealing
100%
X-Ray Photoelectron Spectroscopy
25%
Electronic Circuit
25%
Zinc Oxide
25%
Indium
25%
Oxygen Vacancy
25%
Tungsten
25%
Novel Material
25%